「氮化镓专栏」选择NV6115/17 GaN氮化镓基于ACF架构的PD应用
设计GaN氮化镓 PD充电器产物，首先须要评估产物空间，按照空间巨细，计算空间内功率密度。
而今市面上的GaN充电器电路架构综合分为：ACF 和QR；部门客户只是考虑电路资本，采取QR架构是比ACF低廉不少，而了产品结构空间，功率密度带来的发热问题。如小米的65W GaN充电器选择了ACF架构，倍思是选择了QR架构。
ACF架构比QR架构举座效率高 1-2个点。不要小看这个1-2个点的效率。在空间组织中改换成热量，QR架构分分钟跑到100 度了
本文推荐 选取NV6115/17基于有源箝位反激设计USB－PD 充电器产品；NV6115和NV6117为650V 160 mΩ和110 mΩ eMode GaN功率集成电路，带有iDriveTM集成驱动级，每必要一个低电流数字输入。
该应用电路尺寸和突破性的功率密度。
AC 85-265V 输入，开关频率可在140-490 kHz边界内调节。该设计具体符合欧洲CoC Tier 2和美国DoE六级效率准绳，其余在满负荷时到达胜过94%的峰值效率。
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